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SiC外延调研报告
SiC外延调研报告
2020-05-16T12:05:39+00:00
SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一
2022年10月29日 SiC 外延工艺是提高 SiC 器件性能及可靠性的关键。SiC 外延是指在衬底的上 表面生长一层与衬底同质的单晶材料 4HSiC。外延层可减小晶体生长和加工中 引入的缺陷带来的影响，使 SiC 表面晶格排列整 2020年7月29日 硬度和高化学稳定性也保证了SiC器件的稳定性。此外，SiC还是生 长GaN外延的优质衬底材料，在GaN微波功率器件和半导体照明领 域也占有重要地位。 3 碳化硅（SiC）产业研究报告2023年8月23日 SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节，其中衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%，后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。 ⚫ SiC衬底： 材 SiC行业调研报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料
硅外延片市场规模和份额分析行业研究报告增长趋势
2011年1月1日 硅外延片市场分析 在预测期内，硅外延片市场预计将以442%的复合年增长率增长。 对先进半导体的需求不断增长，创新的最终用户应用不断增加，推动了研究的 2022年10月8日 券商报告 报告下载：添加199IT微信公众号【i199it】，回复关键词【2022年碳化硅行业研究】即可 SiC 具有优秀的材料特性。 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化 合物半导体材料，并和氮化 德邦研究院：2022年碳化硅（SiC）行业研究报告（附 2023年10月20日 SiC外延：国外设备商主导，未来23年有望快速实现国产替代。 SiC外延需严格控制缺陷，工艺难度大，我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅外延炉新增市场空 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延
20232029中国碳化硅（SiC）外延炉市场现状研究分析与
2023年5月31日 20232029中国碳化硅（SiC）外延炉市场现状研究分析与发展前景预测报告 20232029 China Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Furnace Market Status and Forecast 2023年10月20日 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】 2023年10月20日 17:08 同花顺 新浪财经APP 缩小 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延 2021年10月5日 本文为第三代半导体基本面科普性文章，意在为希望或正在投资二级市场上半导体相关产业链标的的投资者， 作脱水研报式的基本面知识普及 。 文章内容来源，均来自于半导体相关公司官网、科普科学类官网以及部分非券机构和券商的深度研报。 仅为知识 脱水研报：第三代半导体（Sic GaN）基本面简析 知乎
SiC外延晶片 市场研究报告 贝哲斯咨询
2023年7月16日 SiC外延晶片行业市场调查报告 从行业发展历程、各细分领域市场规模及增速、发展环境及行业政策、上下游产业链供需情况以及行业未来发展方向、走势等方面对行业进行了深度分析。该报告按照类型、应用领域、地区三个维度，对不同类型产品 2023年6月25日 此外，碳化硅器件制造具有一定技术难度： 1）需要开发与碳化硅材料特性吻合的特定工艺，如：SiC 具有高熔点使传统热扩散失效，需要采用离子注入掺杂法，并精准控制温度、升温速率、持续时间、气体流量等参数；SiC 对化学溶剂具有惰性，应采用干刻蚀 碳化硅(SiC)产业技术难点与突破电子工程专辑2023年5月31日 QYResearch——专注于细分研究领域的规模企业 据QYR最新调研，2022年中国碳化硅（SiC）外延炉市场销售收入达到了 万元，预计2029年可以达到 万元，20232029期间年复合增长率 (CAGR)为 %。 本研究项目旨在梳理碳化硅（SiC）外延炉领域产品系列，洞悉行业特点、市场 20232029中国碳化硅（SiC）外延炉市场现状研究分析与
碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道
2023年3月7日 SiC 需求：多领域驱动，同质外延片国内市场望达百亿 新能源车电驱系统主逆变器增长强劲，预计 2025 年 SiC 需求约 118 万片 新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电 系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC 2021年4月29日 导语：我们测算 SiC 衬底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的 60%，2025 年中国本土导电型衬底片需求超100万片，行业上游重要性强，需求空间广阔。>>>报告综述： 新能源车 全球普及加速，功率密度标准持续提升为 SiC 产业落地提供契机。【行业报告】2021年碳化硅行业研究报告 导语：我们测算 SiC 碳化硅晶圆市场分析 SiC晶圆市场规模预计将从2023年的99亿美元增长到2028年的238亿美元，在预测期间（20232028年）的复合年增长率为1904%。 碳化硅（SiC）由于其宽带隙而用于大功率应用。 高性能功率IC通常基于SiC衬底。 与硅或氮化镓（GaN）相比，SiC可 碳化硅片市场碳化硅份额和制造商 Mordor Intelligence
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
2022年10月9日 SiC 晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温 退火炉、SiC 减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC 衬底和外延 片表面缺陷检测和计量。其中，是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅产线的重要 标准之一。2022年3月9日 碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底 制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，其中碳化硅衬底是产业链的核心区域，占据市场总成本的 50%左右。 此外，碳化硅外延片和器件制造分别占据产业成本的 25%和 20%，同样是市场成本的 主 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下篇）碳化硅器件 2022年11月1日 目前导电型SiC衬底以n型 衬底为主，外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘SiC衬底主要用于外延制造GaN高 功率射频器件。 我们认为未来SiC衬底价格下降是推动碳化硅产业链发 第三代半导体行业深度研究：电力电子器件领域，碳化
2022年SiC行业深度报告(上) 新能源汽车、光伏储能
2022年10月29日 SiC 外延工艺是提高 SiC 器件性能及可靠性的关键。SiC 外延是指在衬底的上 表面生长一层与衬底同质的单晶材料 4HSiC。外延层可减小晶体生长和加工中 引入的缺陷带来的影响，使 SiC 表面晶格排列整 2023年8月14日 据QYR最新调研，2022年中国碳化硅(SiC)外延设备市场销售收入达到了 万元，预计2029年可以达到 万元，20232029期间年复合增长率(CAGR)为 %。本研究项目旨在梳理碳化硅(SiC)外延设备领域产品系列，洞悉行业特点、市场存量空间及增量空间，并 20232029中国碳化硅(SiC)外延设备市场现状研究分析与发展 2020年12月8日 01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。 与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
SiC，进入八英寸时代！ 知乎
2021年8月3日 根据安信证券的调研报告也显示，国内6英寸产线正在爬良过程中，未来 有望进一步提升，同时在加速进行对8英寸产线的研发。就国内8英寸SiC产线的发展进程上看，国内已有一些公司和单位作为预研项目进行立项。2023年4月21日 随着国内SiC产业的蓬勃发展，国产SiC外延设备的开发和产业化日益迫切。根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、纳设、芯三代、晶盛机电和季华实验室等国产设备企业已研制出46吋SiC外延生长SiC市场“蓄势待发”，哪些装备耗材还在被卡脖子？2023年5月19日 外延和封装环节，两家子公司成都士兰和成都集佳，分别负责外延和 模块封装，此外成都士兰也已规划汽车级模块封装产线。 晶圆生产工艺不断提升（5→6→8→12 英寸纵深发展）叠加产能逐步扩张，为营收持续增 长奠定基础。士兰微研究报告：持续迈进的功率IDM龙头 知乎
SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代
2022年10月29日 SiC 外延工艺是提高 SiC 器件性能及可靠性的关键。SiC 外延是指在衬底的上 表面生长一层与衬底同质的单晶材料 4HSiC。外延层可减小晶体生长和加工中 引入的缺陷带来的影响，使 SiC 表面晶格排列整齐，形貌较衬底大幅优化。2023年6月25日 外延层对器件性能影响大，处产业链中间环节。外延缺陷会对器件击穿电压造成影响， 使得器件良率提升难度大；同时，外延层的质量又受到晶体和衬底加工质量的影响，处产 业链中间环节。 碳化硅外延市场由 Wolfspeed 和昭和电工（Showa Denko）双寡头碳化硅行业专题分析：国内衬底厂商加速布局 腾讯网2021年7月12日 根据官网介绍，天域（TYSiC）成立于2009年，是中国家从事碳化硅（SiC）外延片市场营销、研发和制造的私营企业。 2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。 天域是中国家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体 哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的它？ 知乎
Yole：目前有超过50家中国大陆半导体公司涉足SiC相
2022年5月2日 报告显示，SiC初始晶圆成本占1200V SiC MOSFET的外延片成本的60%以上。 8英寸SiC晶圆是扩大生产规模的关键一步，IDM正在开发其8英寸SiC晶圆的制造能力，但在Yole看来，就SiC功率半导体而 2023年11月2日 调研显示，2023年全球SiCCVD外延炉市场规模大约为 亿元（人民币），预计2031年将达到 亿元，20232031期间年复合增长率（CAGR）为 %。 未来几年，本行业具有很大不确定性，本文的20232031年的预测数据是基于过去几年的历史发展、行业专家观点、以及本文分析师观点，综合给出的预测。20232031全球及中国SiCCVD外延炉行业深度调研与投资 2022年8月15日 全球 SiC 从 6英寸往 8英寸发展，有望带动芯片单价下降。 正如硅片晶圆从 8 英寸往 12 英寸发展，目前 SiC 晶圆也正在从 6 英寸往 8 英寸发展。 更大的晶圆 尺寸可以带来单片芯片数量的提升、提高产出 碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆
SiC行业深度报告:SiC全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之
2022年10月29日 材料方面，包括碳化硅衬底、碳化硅外延片、GaNonSiC 外延片，公司材料 收入主要来自于衬底。SiC 衬底分为主要应用于新能源汽车领域的低电阻率导电 型衬底和应用于 5G、射频通讯领域的高电阻率半绝缘型衬底，FY2021 导电型 衬底占公司材料收入 2023年1月19日 集微网消息，1月19日，据证监会披露，中信证券发布了关于广东天域半导体股份有限公司（简称“天域股份”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。1月13日，中信证券与天域股份签署了上市辅导协议。资料显示，天域股份(TYSiC)成立于2009年，是中国家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研【IPO一线】国产碳化硅外延片供应商天域股份开启上市辅导 2023年3月7日 若耐压高于 10000V，则相应的外延层厚度也需要在 100µm 以上。通过在半绝 缘型 SiC 衬底上生长 GaN 外延层，可以制得用于制备 GaN 射频器件的 SiC 基 GaN 外延 片。若在导电型 SiC 衬底上生长 SiC 外延层，则可制得用于制备各类功率器件的 SiC 外延 片。碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道
中国碳化硅（SiC）功率器件行业研究及十四五规划分析报告
2010年4月1日 市场调研报告，可研报告，专项定制 中国碳化硅（SiC）功率器件行业研究及十四五规划分析报告2024 VS 2029年 ——综述篇—— 第1章：碳化硅（SiC）功率器件行业综述及数据来源说明 11 功率半导体器件行业界定 111 功率半导体器件的界定 112 功率2023年4月26日 13 价值量集聚于衬底和外延，成本高企制约产能释放 131 价值量聚焦于衬底和外延，市场规模增长较快 碳化硅产业链上下游清晰，衬底和外延是核心环节，价值量占比达70%。 SiC 产业链主要包括上游衬底和外延制备、中游器件和模块制作以及下 游终端碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 2022年5月18日 在此背景下，法国知名知识产权研究机构Knowmade发布了这份最新的SiC专利全景分析报告，旨在全面研究整个SiC供应链/价值链 （块体SiC和裸SiC晶圆、外延SiC衬底、SiC器件、SiC模块和电路）上的功率SiC专利。专利全景分析是一种强大的调研工 功率碳化硅（SiC）专利全景分析2022版 知乎
产业丨两年前的政策今“提现”，中国半导体外延片替代化加速
2023年8月31日 根据数据显示，中国半导体外延片行业市场规模呈现逐年上涨态势，2022年中国半导体外延片行业市场规模为1089亿元，其中占比最重的为12英寸，占比4527%。 中国半导体外延片产量及需求量呈现逐年上涨态势，产量从2015年的5664万片上涨至2022年的16015万片。 从 2023年8月23日 今天分享的是SiC行业系列深度研究报告：《SiC行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇》。（报告出品方：东吴证券） 报告共计：76页 【报告内容摘要如下】 ⚫SiC行业概况：第三代半导体材料性能优越，新能源车等场景带动SiC放量。SiC行业调研报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料 2022年3月8日 此外，去年发布的《30家国产电源管理厂商调研报告》包括电源管理芯片和功率器件厂商，今年我们将电源管理芯片和功率器件分开，形成两个单独的分析报告。 本报告专门针对功率器件和第三代半导 2022年30家国产功率器件和第三代半导体厂商调研分
最新碳化硅器件产能进展与下游终端项目量产情况分析
2023年3月15日 随着技术进步，未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。 在碳化硅产能方面，衬底和外延方面国内公司产能以4英寸为主，向6英寸过渡，而国际上已实现6英寸商用化，各龙头公司纷 2023年5月13日 图3 三菱电机Si和SiC功率模块组件对比 SiC 材料具有3倍于Si 的禁带宽度，泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级，从而可以减少功率器件的功率损耗；关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，可大大提高实际应用的开关频率(10 倍于Si)，能够显著减小无源器件的体积和成本（如图3所示）。SiC功率器件发展现状及未来展望 知乎2023年5月19日 碳化硅产业链上游为的衬底和外延环节；中游为器件和模块制造环节，包括SiC二极管、SiCMOSFET、全SiC模块、SiC混合模块等；下游应用于5G通信、国防应用、数据传输、航空航天、新能源汽车、光伏产业、轨道交通、智能电网等领域。2023年中国碳化硅产业链上中下游市场分析（附产业链全景图
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代外延器件市场
2023年7月4日 SiC外延片属于行业产业链中间环节，其中，Wolfspeed、ShowaDenko呈现双寡头垄断市场，合计约占SiC导电型外延片95%的市场份额。 目前国内相关外延厂商东莞天域和厦门瀚天天成等均已实现产业化，可供应46英寸外延片。2023年8月31日 根据数据显示，中国半导体外延片行业市场规模呈现逐年上涨态势，2022年中国半导体外延片行业市场规模为1089亿元，其中占比最重的为12英寸，占比4527%。 中国半导体外延片产量及需求量呈现逐年上涨态势，产量从2015年的5664万片上涨至2022年的16015万片。 从 产业丨两年前的政策今“提现”，中国半导体外延片替代化加速 2023年9月15日 SiC行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】1、关键假设、驱动因素及主要预测关键假设：1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。SiC行业分析报告SiC行业发展现状及前景研究分析SiC
中国SiC外延晶片市场发展环境与竞争格局调研分析报告
2023年9月28日 本报告包含对SiC外延晶片市场规模、SiC外延晶片价格及走势、增长趋势、主要企业营销情况和竞争格局的深入分析，并挖掘消费者对于SiC外延晶片的需求和偏好。通过采用定量和定性研究方法，报告显示，2022年全球SiC外延晶片市场规模为 亿元（人民币），中国SiC外延晶片市场规模为 亿元，预计全球 2023年3月20日 在1991年批SiC（碳化硅）晶圆发布后，SiC的发展相当缓慢，20年后才推出了个全SiC商用MOSFET。 最终，正是特斯拉及其400V逆变器将该复合材料推向了2018年的市场。碳化硅器件发展方向与面临的三大难题 腾讯网2023年10月20日 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】 2023年10月20日 17:08 同花顺 新浪财经APP 缩小 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延
脱水研报：第三代半导体（Sic GaN）基本面简析 知乎
2021年10月5日 本文为第三代半导体基本面科普性文章，意在为希望或正在投资二级市场上半导体相关产业链标的的投资者， 作脱水研报式的基本面知识普及 。 文章内容来源，均来自于半导体相关公司官网、科普科学类官网以及部分非券机构和券商的深度研报。 仅为知识 2023年7月16日 SiC外延晶片行业市场调查报告 从行业发展历程、各细分领域市场规模及增速、发展环境及行业政策、上下游产业链供需情况以及行业未来发展方向、走势等方面对行业进行了深度分析。该报告按照类型、应用领域、地区三个维度，对不同类型产品 SiC外延晶片 市场研究报告 贝哲斯咨询2023年6月25日 2023年 电动智能汽车行业报告汇总 （点击进入） 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒有哪些？1） 代半导体材料以 传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低 碳化硅(SiC)产业技术难点与突破电子工程专辑
20232029中国碳化硅（SiC）外延炉市场现状研究分析与
2023年5月31日 QYResearch——专注于细分研究领域的规模企业 据QYR最新调研，2022年中国碳化硅（SiC）外延炉市场销售收入达到了 万元，预计2029年可以达到 万元，20232029期间年复合增长率 (CAGR)为 %。 本研究项目旨在梳理碳化硅（SiC）外延炉领域产品系列，洞悉行业特点、市场 2023年3月7日 SiC 需求：多领域驱动，同质外延片国内市场望达百亿 新能源车电驱系统主逆变器增长强劲，预计 2025 年 SiC 需求约 118 万片 新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电 系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC 碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道2021年4月29日 导语：我们测算 SiC 衬底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的 60%，2025 年中国本土导电型衬底片需求超100万片，行业上游重要性强，需求空间广阔。>>>报告综述： 新能源车 全球普及加速，功率密度标准持续提升为 SiC 产业落地提供契机。【行业报告】2021年碳化硅行业研究报告 导语：我们测算 SiC
碳化硅片市场碳化硅份额和制造商 Mordor Intelligence
碳化硅晶圆市场分析 SiC晶圆市场规模预计将从2023年的99亿美元增长到2028年的238亿美元，在预测期间（20232028年）的复合年增长率为1904%。 碳化硅（SiC）由于其宽带隙而用于大功率应用。 高性能功率IC通常基于SiC衬底。 与硅或氮化镓（GaN）相比，SiC可 2022年10月9日 SiC 晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温 退火炉、SiC 减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC 衬底和外延 片表面缺陷检测和计量。其中，是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅产线的重要 标准之一。碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革 2022年3月9日 碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底 制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，其中碳化硅衬底是产业链的核心区域，占据市场总成本的 50%左右。 此外，碳化硅外延片和器件制造分别占据产业成本的 25%和 20%，同样是市场成本的 主 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下篇）碳化硅器件