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碳化硅粉末中杂质元素的测定

碳化硅粉末中杂质元素的测定

2022-08-26T03:08:09+00:00

LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素分析测试百科网

2018年11月18日 LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素 20181118 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特碳化硅中主要杂质元素为游离碳、游离硅、二氧化硅及微量杂质元素。游离碳可通过燃烧除去;游离硅、二氧化硅通过熔解完样品后加入HF、HClO4蒸干而与碳化硅晶体内部的硅一电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素 2019年9月12日 2019年9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标(GB/T372542018)。高纯碳化硅微量元素的测定(GB/T372542018)规定了采用电感耦合等离子体原高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T372542018

国家标准GB/T 1484942014

2014年12月5日标准号：GB/T 1484942014 中文标准名称：工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法英文标准名称：Methods 2019年10月10日强度曲线转化为深度浓度曲线，实现了碳化硅材料中杂质的定量分析。由于GB/T 16555 中对杂质元素的定量分析也是采用相对灵敏度因子法，其结果计算板块 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二 21本标准的题目完全能够高度概括标准主旨和中心，能够反映出碳化硅单晶中痕量杂质元素的测定分析方法标准的作用。 24 仪器工作条件辉光放电质谱仪：质量分辨率大行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定百度文库

ICPOES法测定碳化硅粉末中的微量元素含量岛津分析检测

2023年8月28日参考GB/T 372542018《高纯碳化硅微量元素的测定》，使用岛津ICPE9820型电感耦合等离子体发射光谱仪（ICPOES）分析了碳化硅中多种重金属元素的含 2018年12月28日标准号：GB/T 372542018 中文标准名称：高纯碳化硅微量元素的测定英文标准名称：High purity silicon carbide—Determination of trace elements 标准状国家标准GB/T 3年4月14日本文参考GB/T 1484942014《工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》，采用湿法消解工业硅粉样品，利用岛津 ICPOES测定工业硅中杂质元素的含量岛津分析检测

碳化硅粉知乎

2022年9月21日碳化硅粉碳化硅粉：制备高质量碳化硅单晶需要杂质含量低、粒径均匀的碳化硅料源，尤其是在制备高纯半绝缘碳化硅或者掺杂半绝缘碳化硅时，对低杂质含量的要求非常高。事实上，碳化硅料源合成过 2018年11月18日 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素分析测试百科网2021年12月31日标准号：GB/T 411532021 中文标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法英文标准名称：Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry 标准状态：现行国家标准GB/T 411532021

碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识

2017年11月7日碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。2 天之前 DIN 510761:1991 陶瓷材料的检验作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂碳化硅标准分析测试百科网2014年12月5日中文标准名称：工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法英文标准名称：Methods for chemical analysis of silicon metal―Part 4：Determination of impurity contents―Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method 标准状态：现行国家标准GB/T 1484942014

ICPMS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质现代仪器豆丁网

2013年12月25日在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此建立碳化硅粉表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）是发展最快的无机痕量、超痕量 2014年5月27日随着使用环境的苛刻要求，碳化硅的纯度要求也越来越高，这就需要准确测定碳化硅粉末中的杂质。工业用碳化硅粉末的生产一般采用固相法，即通过二氧化硅与碳发生碳热还原反应或者硅粉与炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而获得。等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量标准物质网2023年8月23日一、碳化硅简介与特性碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析知乎

9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标要闻资讯

2019年9月2日中国粉体网讯碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定 2019年3月15日 I GB/ T 37254201 8 高纯碳化硅微量元素的测定警示一一使用本标准的人员应有E规实验室工件的实践经验。本标准并未指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件。 1 范围本标准规定了采用 GB T 372542018高纯碳化硅微量元素的测定pdf 原创力文档2022年11月9日因此，高纯碳化硅中元素杂质分析及处理具有十分重要意义。但，面对如此稳定坚硬的碳化物分析前的消解却成为很多人的难题在《高纯碳化硅微量元素的测定》GB/T 372542018中，推荐了一种加压酸溶的前处理方法：遇TA则清谱育超级微波，让碳化硅消解不再是一个难题

YS/T 16002023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光

2023年5月22日 T/IAWBS 0012021 碳化硅单晶 GB/T 3721132022 金属锗化学分析方法第3部分:痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法 YS/T 22942013 高纯铅化学分析方法第4部分:痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 T/ZZB 22832021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 YS/T 9172013 高纯镉化学分析方法痕量杂质元素含量的测定 2021年9月8日碳化硅的用处碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和杰出的导电性、导热性等特别功用，因而在国民经济各部门中具有广泛的用处。在我国，绿碳化硅首要用做磨料。黑碳化硅用于制造磨具，多用于切开和研磨抗张强度低的资什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途知乎2019年9月12日碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T372542018

论文合集 SiC最新研究进展材料电子碳化硅

论文合集 SiC最新研究进展 13:26 发布于：北京市碳化硅 (silicon carbide，SiC) 作为第三代半导体材料，具有比硅 (Si)更优越的性能。不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特 2023年5月30日 ICS 7704030 CCS H 17 YS/T 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal Glow discharge mass spectrometry （报批稿）－－发布－－实施中华人民共和国工业和YST 16002022碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 2023年5月29日 NF B411062011 陶瓷原料和基本材料的测试电热蒸发(ETV)电感耦合等离子体发射光谱法(ICP OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数 NF T601062001 液态石油产品新的润滑油和用过的润滑油中杂质、磨损金属和添加元素的测定感应耦合等离子体原子发射光谱法(ICP/AES)icp 杂质标准分析测试百科网

【干货】浅析ICPMS法测定药品中元素杂质的方法学要求

2021年3月17日注：类别1：含量；类别2：定量杂质及限度测定。此外，如表2所示，美国药典、欧洲药典通则中还单独建立了药品中元素杂质残留检测方法要求（USP40Elemental ImpuritiesProcedures [11]，EP 92Determination of Metal Catalyst or Metal Reagent Residues [12] ），目前中国药典还没有单独建立药品中 2023年10月31日 HG/T 57632020 茂金属聚烯烃催化剂中金属元素的测定电感耦合等离子体发射光谱法 YS/T 11642016 硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法 YB/T 45902017 硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光电感耦合等离子体发射光谱法标准分析测试百科网2023年4月17日样品分类：半导体材料（硅、碳化硅、氮化镓、氮化硅、氧化镓）、导体材料（高纯靶材、合金材料、石墨、镀层材料）、绝缘体材料（氧化物、高纯陶瓷材料）测试案例01镓（导体）材料纯度要求高，尤其对硅、铁、锌、铜等元素要求苛刻。主要应用分类有：工业粗镓，纯度小于5N；掺杂砷化镓带你解密辉光放电质谱（GDMS）知乎

中金碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪

2022年1月13日我们认为行业应避免产能无序扩张。碳化硅材料企业盈利能力及估值展望：我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司 2023年9月16日结论总的来说，高纯度碳化硅粉末由于其优异的物理和化学性质，在许多领域都有广泛的应用。随着科技的发展和市场需求的增长，我们期待看到更多关于高纯度碳化硅粉末的创新应用。希望这篇文章能帮助大家更好地理解高纯度碳化硅粉末的重要性和应最火的粉体之一碳化硅粉知乎2021年9月9日取出，放在干燥器中冷至室温，称重。如此反复，直至恒重。赞同分享硅粉成分化验分析二氧化硅含量化验微硅粉硅灰中二氧化硅含量的检测化验方法一般情况下，微硅粉硅灰中二氧化硅含量的检测化验，通常是采用氢氟酸重量法进行检测。检测硅粉成分化验分析二氧化硅含量化验知乎

碳化硅粉知乎

2022年10月31日碳化硅粉 (siliconcarbide，sic)由于具有高强度、高硬度、耐腐蚀、抗高温氧化性、低热膨胀系数等优越特性，常用于制成碳化硅陶瓷广泛应用于冶金、机械、石油、化工、微电子、航空航天、钢铁、汽车等领域。但由于碳化硅的强共价键性 (共价键成分 2019年10月9日碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。半导体届“小红人”——碳化硅知乎2023年3月21日关注碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料高硬度：碳化硅具碳化硅是什么材料？知乎

碳化硅杂质标准分析测试百科网

2023年9月27日英国标准学会，关于碳化硅杂质的标准 BS EN 15979:2011 陶瓷原料和基本材料的测试直流电弧激发发射光谱法直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数 BS EN 15991:2011 陶瓷原料和基本材料的测试电热蒸发 (ETV)电感耦合等离子体发射光谱法 (ICPOES)直接测定碳化硅 2021年6月9日由于碳化硅的导热系数高和热膨胀系数小，此碳化硅耐火材料的耐热冲击性很好。碳化硅制品的耐热震性能也与结合基料的类型和性质有着密切的关系。测试证明：把样品迅速放入1200℃的电炉内加热20min，然后取出在空气中冷却并测定弹性模量的变化。碳化硅及其在耐火材料中的应用知乎2022年9月24日 8一种锂离子电池正极材料中金属杂质含量的检测方法，包括如下步骤： 9s1取锂离子电池正极材料，进行物理粉碎，得到粒度d99≤1μm的粉体； 10s2将粉体与溶剂混合，得悬浊液，过滤，得粒径＞1μm的滤渣； 11s3利用icp技术测定滤渣中的金属杂质一种锂离子电池正极材料中金属杂质含量的检测方法与流程

工业硅中杂质元素检测方案(波散型XRF)仪器行业应用仪器

2021年11月21日本文参考GB/T 1484952014《工业硅化学分析方法第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》，利用岛津XRF1800波长色散型X射线荧光光谱仪，采用粉末压片制样方法，测定工业硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线，各杂质 2020年12月7日碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状碳化硅简介知乎2019年11月20日 2、确定标准主要内容的依据 21范围的确定本标准规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮等杂质含量的二次离子质谱测试方法。根据文献资料以及多年的试验经验得出，使用该方法测试的硼含量不小于5×1013cm3、铝含量不小于5×1013cm3、氮含量不小于5×1015cm3。根据国家标准碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子

锂电池石墨类负极材料中18 种杂质元素检测方案 (ICPAES)

2018年6月29日样品加标溶液连续测试25h，所测得的杂质元素结果的相对标准偏差 (RSD)如表4所示。从中可以看出，所考察的18种杂质元素的测定结果 RSD 均小于15%，表明该方法在进行石墨类负极材料中杂质元素的分析时具有较好稳定性和可靠性。2022年9月21日碳化硅粉碳化硅粉：制备高质量碳化硅单晶需要杂质含量低、粒径均匀的碳化硅料源，尤其是在制备高纯半绝缘碳化硅或者掺杂半绝缘碳化硅时，对低杂质含量的要求非常高。事实上，碳化硅料源合成过碳化硅粉知乎2018年11月18日 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素分析测试百科网

国家标准GB/T 411532021

2021年12月31日标准号：GB/T 411532021 中文标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法英文标准名称：Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry 标准状态：现行2017年11月7日碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识2 天之前 DIN 510761:1991 陶瓷材料的检验作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂碳化硅标准分析测试百科网

国家标准GB/T 1484942014

2014年12月5日中文标准名称：工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法英文标准名称：Methods for chemical analysis of silicon metal―Part 4：Determination of impurity contents―Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method 标准状态：现行2013年12月25日在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此建立碳化硅粉表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）是发展最快的无机痕量、超痕量 ICPMS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质现代仪器豆丁网2014年5月27日随着使用环境的苛刻要求，碳化硅的纯度要求也越来越高，这就需要准确测定碳化硅粉末中的杂质。工业用碳化硅粉末的生产一般采用固相法，即通过二氧化硅与碳发生碳热还原反应或者硅粉与炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而获得。等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量标准物质网